mmbt7002k mmbt7002k n-channel enhancement mode fet n-kanal fet C anreicherungstyp i d = 300 ma r ds(on)1 < 3 t jmax = 150c v dss = 60 v p tot = 350 mw v gss1 = 2 kv version 2017-05-30 sot-23 (to-236) 1 = g 2 = s 3 = d dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, logic level converter, drivers commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, pegel- wandler, treiberstufen standardausfhrung 1 ) features esd protected gate fast switching times compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten esd geschtztes gate schnelle schaltzeiten konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 gate protection diode type code k72 maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) drain-source-voltage drain-source-spannung v dss 60 v gate-source-voltage gate-source-spannung dc esd v gss 20 v 2 kv power dissipation verlustleistung p tot 350 mw drain current drainstrom dc i d 300 ma peak drain current drain-spitzenstrom i dm 800 ma junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c, unless otherwise specified C t a = 25c, wenn nicht anders angegeben ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 2 . 4 1 . 3 0 . 1 1.1 +0.1 0.4 +0.1 2.9 0.1 1 2 3 type code 1.9 0.1 -0.05 -0.2 0 . 2 g d s
mmbt7002k characteristics kennwerte t j = 25c min. typ. max. drain-source breakdown voltage C drain-source-durchbruchspannung i d = 10 a bv dss 60 v C C drain-source leakage current C drain-source leckstrom v ds = 60 v, v gs = 0 v i dss C C 1 a gate-source leakage current C gate-source leckstrom v gs = 20 v i gss C C 10 a gate-threshold voltage C gate-source schwellspannung v gs = v ds , i d = 250 a v gs(th) 1 v C 2.5 v drain-source on-state resistance C drain-source einschaltwiderstand v gs = 10 v , i d = 500 ma v gs = 4.5 v, i d = 200 ma r ds(on) C C 3 4 forward transconductance C bertragungssteilheit v ds 10 v ds(on) , i d = 200 ma g fs 80 ms C C input capacitance C eingangskapazit?t v ds = 25 v, f = 1 mhz c iss C 50 pf C output capacitance C ausgangskapazit?t v ds = 25 v, f = 1 mhz c oss C 25 pf C reverse transfer capacitance C rckwirkungskapazit?t v ds = 25 v, f = 1 mhz c rss C 5 pf C turn-on time C einschaltzeit v dd = 30 v, r l = 150 , i d = 0.2 a, v gs = 10 v, r g = 25 t on C 20 ns C turn-off delay time C ausschaltverz?gerung v dd = 30 v, r l = 150 , i d = 0.2 a, v gs = 10 v, r g = 25 t off C 20 ns C disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
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