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SFH 221 S Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 S Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Hohe Fotoempfindlichkeit q Hermetisch dichte Metallbauform (ahnlich TO-5), geeignet bis 125 oC1) q Doppeldiode von extrem hoher Gleichmaigkeit Anwendungen q q q q Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q High photosensitivity q Hermetically sealed metal package (similar to TO-5), suitable up to 125 oC1) q Double diode with extremely high homogeneousness Applications q Follow-up controls q Edge drives q Industrial electronics q For control and drive circuits Nachlaufsteuerungen Kantenfuhrung Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code SFH 221 S (*SFH 221) 1) 1) Gehause Package Lotspiee im 5.08-mm-Raster (2/10") solder tabs 5.08 mm (2/10") lead spacing Q62702-P270 Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC For operating conditions of TA > 85 oC please contact us. Semiconductor Group 399 SFH 221 S Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) Sperrspannung Reverse voltage Isolationsspannung gegen Gehause Insulation voltage vs. package Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value -40 ... +80 230 Einheit Unit oC oC VR VIS Ptot 10 100 50 V V mW Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) fur jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Symbol Symbol S S max Wert Value 24 ( 15) 900 400 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm A LxB LxW H 1.54 0.7 x 2.2 mm2 mm 1.1 ... 1.6 mm 55 Grad deg. Semiconductor Group 400 SFH 221 S Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) fur jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Isolationsstrom, VIS = 100 V Insulation current Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 k; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 25 A Durchlaspannung, IF = 40 mA, E = 0 Forward voltage Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient fur VL Temperature coefficient of VL Temperaturkoeffizient fur IK Temperature coefficient of IK Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 850 nm Detection limit Symbol Symbol IR S S Wert Value 10 ( 100) 0.55 5 Einheit Unit nA A/W % VL IK IIS tr, tf 0.80 330 ( 280) 24 0.1 ( 1) 500 Electrons Photon mV A nA ns VF C0 TCV TCI NEP 1.0 25 -2.6 0.18 1.0 x 10-13 V pF mV/K %/K W Hz cm * Hz W D* 1.2 x 1012 Semiconductor Group 401 SFH 221 S Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 1 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 402 |
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