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GSI Technology, Inc.
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| Part No. |
GS8180S18
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| Description |
1Mb x 18bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位独立I/O接口双数据速率读和写模式静态ΣRAM) 1x 18位独立的I / O西格玛的DDR SRAM的（100万18位独立的I / O接口双数据速率读和写模式静态ΣRAM
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GSI Technology, Inc.
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| Part No. |
GS8170S18
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| Description |
16MbM x 18bit）Synchronous SRAM(16M位（1M x 18位）同步静态RAM) 16Mb的（100x 18位）同步SRAM,600位（100万18位）同步静态内存）
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Toshiba, Corp.
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| Part No. |
THMR1E4-6 THMR1E4-8
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| Description |
33,554,432-Word4MBytes) by 18-Bit(32M-Word × 18bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:600MHz64M字节(32M字18直接Rambus 动态RAM模块(I/O 频率:600MHz 33554432词（64MBytes）由18位（32M的词× 18位）直接Rambus的内存（输入/输出频率00MHz的）400字节2兆字× 18位）直接Rambus公司动态内存模块（输入/输出频率00MHz的）
33,554,432-Word4MBytes) by 18-Bit(32M-Word × 18bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:800MHz64M字节(32M字18直接Rambus 动态RAM模块(I/O 频率:800MHz 33554432词（64MBytes）由18位（32M的词× 18位）直接Rambus的内存（输入/输出频率00MHz的）400字节2兆字× 18位）直接Rambus公司动态内存模块（输入/输出频率00MHz的）
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